中評社香港4月15日電／韓聯社報導，美國政府15日公佈，決定將向在得克薩斯州興建半導體工廠的三星電子提供64億美元補貼。
美國商務部長吉娜·雷蒙多前一天在記者會上表示，為幫助三星電子在得州建廠，政府將根據《晶片與科學法案》向三星提供64億美元補貼。基於此三星電子將向得州泰勒市投資170億美元，擴大興建中的半導體工廠規模和投資對象，直至2030年共投資450億美元。這比原先計劃的投資規模多出一倍以上。
三星電子2022年起在泰勒市興建的半導體工廠用地額外投建新工廠，新設封裝設備和尖端研發設備，據此全面進軍美國市場。三星的泰勒首家工廠將從2026年起生產4奈米和2奈米晶片，第二工廠將從2027年起量產尖端晶片，研發工廠也將於2027年投產。美國對三星的補貼規模僅次於對英特爾（85億美元）和台積電（66億美元）的補貼規模。
美國政府高層官員表示，三星電子將在美國進行核心研發，在得州延續半導體技術開發，通過此次投資至少可創造1.7萬個建築工作崗位，加上供應鏈方面的工作崗位，數量有望超過數萬個。另一名美國官員表示，對三星電子提供晶片補貼是美政府旨在推動尖端半導體技術回流國內的第三項投資，與三星電子400多億美元的投資結合，總規模將在美國外國人投資歷史上留下濃重的一筆。 |
